Object structure

Title:

Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET

Title execution:

Evaluation of accuracy of SiC-JFET macromodel

Creator:

Bargieł, Kamil ; Bisewski, Damian

Subject and Keywords:

JFET ; makromodel ; węglik krzemu

Abstract:

W pracy zaprezentowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej makromodelu tranzystora JFET wykonanego z węglika krzemu o symbolu UJN1208K firmy United Silicon Carbide. Postać makromodelu jest dedykowana dla programu PSPICE i została udostępniona na stronie internetowej producenta. Oceniono dokładność makromodelu poprzez porównanie wybranych obliczonych i katalogowych charakterystyk statycznych oraz charakterystyk C(u) rozważanego tranzystora. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia na wymienione charakterystyki tranzystora. ; In the paper, the results of experimental verification of the macromodel of UJN1208K JFET transistor made of silicon carbide fabricated by United Silicon Carbide, are presented. The macromodel form dedicated for PSPICE program is available on the manufacturer's website. The accuracy of the macromodel have been evaluated by comparison of selected calculated and measured static characteristics and C-V characteristics of the considered transistor. The influence of ambient temperature on the characteristics of the transistor has been evaluated, as well.

Publisher:

Publishing House of Poznan University of Technology

Object type:

artykuł

ISBN/ISSN:

1897-0737

DOI:

10.21008/j.1897-0737.2018.95.0007

Language:

pol ; eng

Relation:

Strona czasopisma Politechnika Poznańska Wydział Elektryczny i Instytut Elektrotechniki i Elektroniki Przemysłowej

Rights Management:

Politechnika Poznańska

Format:

pp. 67-76

Rights:

wszystkie prawa zastrzeżone

Access rights:

dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku

Rights holder:

Politechnika Poznańska

Digital object format:

application/pdf