Measurements and calculations of capacitances of BJT and SJT transistors made of silicon carbide
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk pojemności C(u) sterowanych prądowo tranzystorów BJT i SJT, które zrealizowano z wykorzystaniem programowalnego systemu mierzącego firmy Keithley. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń przy zastosowaniu popularnego i często stosowanego modelu Gummela-Poona tranzystora bipolarnego. Dla porównania, przedstawiono również wyniki pomiarów zaprezentowane w literaturze oraz w kartach katalogowych badanych przyrządów. Ponadto, oceniono wpływ temperatury otoczenia na kształt rozważanych charakterystyk pojemności. ; In the paper the results of measurements of capacitances C(u) of the current controlled BJT and SJT transistors was presented, for which a programmable measuring system manufactured by Keithley was used. The results of measurements was compared with results of the calculations obtained by using the popular and commonly used Gummel-Poon model. For comparison, the results of the measurements found in the literature and in the datasheets of the considered devices was presented as well. In addition, the influence of ambient temperature on the shape of the considered characteristics was also investigated.
Publishing House of Poznan University of Technology
oai:repozytorium.put.poznan.pl:445516
10.21008/j.1897-0737.2018.95.0001
dla wszystkich w zakresie dozwolonego użytku
Aug 2, 2018
Aug 2, 2018
83
63
http://repozytorium.put.poznan.pl/publication/537866
Edition name | Date |
---|---|
Szelągowska, Joanna, Pomiary i obliczenia pojemności tranzystorów mocy BJT i SJT wykonanych z węglika krzemu | Aug 2, 2018 |
Wesołowski, Marcin Czaplicki, Adam Skrzypczak, Przemysław
Łechtańska, Joanna
Szymański, Paweł
Gośliński, Jarosław
Słowiński, Roman Stefanowski, Jerzy Wrembel, Robert Krawiec, Krzysztof
Stasiak, Maciej Hanczewski, Sławomir Weissenberg, Joanna Głąbowski, Mariusz
Sumelka, Wojciech